三星的65nm 4Gb NAND快閃記憶體(K9F4G08U0A)是一款採用每單元1位元SBC(single-bit-per-cell)技術的單晶片元件。該元件採用三層金屬、雙多晶(triple-metal，double-poly)的65nm CMOS製程製造，裸晶大小131mm2。其中的單電晶體快閃記憶體單元尺寸約為0.126×0.13微米，整個單元面積僅有0.016μm2。整體額定位元效率比為31.3Mb/mm2。
這款65nm元件的尺寸比先前採用73nm製程節點製造的元件小15.9%。但65nm元件的裸晶效率是54%，比73nm元件低了約6%。效率的降低可能是由於記憶體陣列和週邊電路間微縮比例的不一致所造成。
65nm和73nm元件共用了幾項創新的製程技術，它們成功地從73nm節點被移植到65nm節點。這些特性包括自對準浮動閘多晶單元及類似的控制閘和浮動閘結構。但65nm元件還採用了其它幾項新的製程技術，用於處理浮動閘耦合、精選電晶體觸點和淺溝道隔離深度等問題。
65nm元件採用SBC技術，每個記憶體單元僅儲存1位元。SBC技術多年以來一直是標準的快閃記憶體技術，它比多層單元(MLC)技術更容易實現、更可靠，且只需要較少的測試時間。但因SBC密度較低，與MLC相比在成本上處於劣勢。
資料來源：http://www.eettaiwan.com/ART_8800442766_628626_NT_0b64ccb6.HTM
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